โมดูลพลังงานของ Mitsubishi Electric ผลิตขึ้นด้วยเทคโนโลยีทันสมัย เพื่อให้มั่นใจได้ถึงประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือในระดับสูงสุด พร้อมช่วยประหยัดพลังงานได้อย่างน่าประทับใจสำหรับผลิตภัณฑ์และระบบที่ใช้ เทคโนโลยีเหล่านี้มีความสำคัญอย่างยิ่งต่อการบรรลุเป้าหมายการเป็นสังคมที่ปลอดคาร์บอน และมีความสำคัญเป็นพิเศษในฐานะส่วนหนึ่งของความพยายามอย่างต่อเนื่องของเรา
ผลิตภัณฑ์ของเราครอบคลุมการใช้งานที่หลากหลาย ตั้งแต่เครื่องใช้ในบ้านไปจนถึงยานพาหนะที่วิ่งบนราง ยานยนต์ไฟฟ้า (xEV) หลากหลายชนิด และอุปกรณ์อุตสาหกรรมต่าง ๆ เมื่อนำระบบจ่ายไฟฟ้าจากพลังงานหมุนเวียนมาใช้เพิ่มมากขึ้น เราจะสามารถมุ่งเน้นไปที่การพัฒนาโมดูลพลังงานสมรรถนะสูง โดยเฉพาะสำหรับระบบส่งไฟฟ้ากระแสตรงแรงดันสูง (HVDC) เพื่อมีส่วนร่วมในการสร้างสังคมพลังงานที่ยั่งยืน
เพื่อคงความเป็นผู้นำในตลาด ฝ่ายวิจัยและพัฒนาของเรามีจุดมุ่งหมายที่จะลดการใช้พลังงานและขนาด รวมถึงการพัฒนาโมดูลแห่งอนาคตโดยใช้เทคโนโลยี SiC

• โมดูล SiC ไฟฟ้า
• SOPIPM™
• DIPIPM™
• IPM
• โมดูล IGBT
• โมดูล HVIGBT
• โมดูล Power MOSFET
• โมดูลไดโอด

กลุ่มผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ไฟฟ้ารุ่นของ Mitsubishi Electric มาพร้อมกับ HVIC (IC แรงดันสูง) HVIC คือ IC แรงดันสูงที่มีฟังก์ชันการป้องกันในตัวหลายอย่าง โดยจะใช้สัญญาณอินพุตจากไมโครคอมพิวเตอร์หรืออุปกรณ์อื่นเพื่อขับเกตใน MOSFET หรือ IGBT

• HVIC (IC แรงดันสูง)

กลุ่มผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ไฟฟ้าของ Mitsubishi Electric ครอบคลุมถึงชิปเปล่าด้วย ปัจจุบัน เราคือผู้จัดหาตัวอย่างชิปเปล่า MOSFET ของซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) สำหรับใช้งานในอินเวอร์เตอร์ขับเคลื่อนมอเตอร์ของยานยนต์ไฟฟ้า (xEVs) ชิปเปล่า SiC-MOSFET เหล่านี้ใช้ประโยชน์จากโครงสร้างและเทคโนโลยีการผลิตที่เป็นกรรมสิทธิ์ของเรา เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพของอินเวอร์เตอร์ ซึ่งมีส่วนช่วยให้ช่วงการขับขี่ขยายออกไป และปรับปรุงประสิทธิภาพด้านพลังงาน ดังนั้นจึงเป็นการส่งเสริมการตระหนักรู้เกี่ยวกับสังคมที่ปลอดคาร์บอน

• ชิปเปล่า (Bare Die)

Mitsubishi Electric ให้การสนับสนุนการพัฒนาเครือข่ายการสื่อสารไร้สายมาอย่างยาวนานผ่านการพัฒนาอุปกรณ์ความถี่สูง เราสามารถคงความเป็นผู้นำตลาดเอาไว้ได้ด้วยผลิตภัณฑ์ที่ผลิตขึ้นโดยผสานอิเล็กทรอนิกส์ล่าสุดและเทคโนโลยีล้ำสมัยอื่น ๆ เข้ากับวัสดุสมรรถนะสูงที่พัฒนาขึ้นใหม่ กลุ่มผลิตภัณฑ์อุปกรณ์ความถี่สูงของเรามีส่วนช่วยในโครงสร้างพื้นฐานด้านการสื่อสารแบบไร้สาย ซึ่งไม่เพียงแต่สนับสนุนการสื่อสารแบบไร้สายที่เชื่อถือได้มากขึ้นเท่านั้น เช่น การสื่อสารผ่านดาวเทียม แต่ยังช่วยพัฒนาระบบการสื่อสารความเร็วสูงและความจุสูง รวมถึงสถานีฐานสำหรับระบบการสื่อสารเคลื่อนที่ด้วย

• อุปกรณ์ความถี่สูง GaN
• อุปกรณ์ Silicon RF

Mitsubishi Electric เป็นบริษัทชั้นนำในการพัฒนาและผลิตเลเซอร์ไดโอดและโมดูลต่าง ๆ ที่มีส่วนช่วยให้เกิดการเปลี่ยนแปลงสู่ระบบดิจิทัล (DX) ผ่านการสื่อสารด้วยไฟเบอร์ออปติกที่มีความเร็วสูงและความจุสูง เทคโนโลยีขั้นสูงของเรารองรับการใช้งานที่หลากหลาย รวมถึงเครือข่ายบรอดแบนด์และโทรคมนาคม ศูนย์ข้อมูลขนาดใหญ่ที่สามารถรองรับการประมวลผลขั้นสูง เช่น ปัญญาประดิษฐ์เพื่อการสร้างชุดข้อมูลใหม่ การเชื่อมต่อไฟเบอร์ถึงบ้าน (FTTH) และสถานีฐานเคลื่อนที่ 5G (BTS) เลเซอร์ไดโอดของเรา ซึ่งได้รับการยกย่องในด้านประสิทธิภาพการใช้พลังงาน ความเชื่อถือได้ และสมรรถนะ ยังถูกนำไปใช้ในงานด้านการแสดงผลด้วย

• อุปกรณ์สื่อสารผ่านอุปกรณ์สายนำสัญญาณแสง (Optical Fiber Communication Devices)
• เลเซอร์ไดโอดสำหรับโปรเจกเตอร์ (Laser Diodes for Projectors)