อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์

เพาเวอร์โมดูล, อุปกรณ์ความถี่สูง, อุปกรณ์ออปติคอล, อุปกรณ์ LCD และอื่นๆ

ชุดอุปกรณ์ IPM ซีรีส์ G1 พร้อมด้วย IGBT รุ่นที่ 7

ด้วยชิป IGBT1 รุ่นล่าสุด ชุดอุปกรณ์ IPM2 ซีรีส์ G1 ช่วยลดขนาดและการใช้พลังงานของอุปกรณ์อุตสาหกรรม เช่น อินเวอร์เตอร์อเนกประสงค์ ชุดควบคุมการขับเคลื่อนเซอร์โว และลิฟท์ และในขณะเดียวกันก็มอบความน่าเชื่อถือในระดับที่สูงขึ้นอีกด้วย กลุ่มของผลิตภัณฑ์ 52 ชิ้น ใน 6 หมวดหมู่ ทำให้ชุดอุปกรณ์ซีรีส์ G1 เป็นทางเลือกที่ดีที่สุดสำหรับการใช้งานที่หลากหลาย ทั้งยังตอบสนองความต้องการด้านอุปกรณ์อุตสาหกรรมได้อย่างครอบคลุม

1.
IGBT: ฉนวนประตูทรานซิสเตอร์สองขั้ว (Insulated Gate Bipolar Transistor)
2.
IPM: เพาเวอร์โมดูลอัจฉริยะ (Intelligent Power Module)

Full SiC DIPIPM ขนาดเล็กพิเศษ

SiC1-MOSFET2 ที่พัฒนาขึ้นมาใหม่นี้ ช่วยลดการใช้พลังงานลงได้ประมาณ 75% เมื่อเปรียบเทียบกับรุ่นก่อนหน้า3 ซึ่งหมายความว่า Super-mini Full SiC DIPIPM4™ มีคุณสมบัติใช้พลังงานต่ำที่สุดในวงการอุตสาหกรรม5 ดังนั้น จึงช่วยส่งเสริมการประหยัดพลังงานของเครื่องปรับอากาศแบบประหยัดพลังงานให้ได้สูงยิ่งขึ้น

1.
SiC: ซิลิคอนคาร์ไบด์ (Silicon Carbide)
2.
MOSFET: ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟาแบบโลหะออกไซด์สารกึ่งนํา (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
3.
Super-mini DIPIPM เวอร์ชัน 6 ขนาดเล็กพิเศษ (ผลิตภัณฑ์ Si) PSS15S92F6 (15A /600V)
4.
DIPIPM: แพ็คเกจเพาเวอร์โมดูลอัจฉริยะแบบ Dual In-Line
5.
เมื่อวันที่ 17 สิงหาคม 2559 ตามข้อมูลจากงานวิจัยภายใน

เคยูแบนด์ระบบ GaN HEMT สำหรับสถานีดาวเทียมภาคพื้นดิน

เอาต์พุตกำลังไฟ 100W ระบบ GaN2 HEMT3 ในระดับชั้นนำของวงการอุตสาหกรรม1 สร้างสรรค์ขึ้นอย่างประสบความสำเร็จด้วยการปรับปรุงโครงสร้างของทรานซิสเตอร์ ลดจำนวนส่วนประกอบของตัวขยายสัญญาณ และขยายขอบเขตให้ครอบคลุมสถานีภาคพื้นดินที่มีขนาดเล็ก ทั้งนี้ มีการนำเสนอผลิตภัณฑ์อันหลากหลายที่ใช้ตัวขยายสัญญาณที่มีอยู่เป็น Driver Stage สมรรถนะสูงซึ่งสามารถกำหนดค่าได้โดยผลิตภัณฑ์ของ Mitsubishi Electric เพื่อตอบสนองความต้องการที่หลากหลายของสถานีดาวเทียมภาคพื้นดินเคยูแบนด์4

1.
เมื่อวันที่ 27 กันยายน 2559 ตามข้อมูลจากงานวิจัยภายในของ GaN HEMT สำหรับสถานีดาวเทียมภาคพื้นดินเคยูแบนด์
2.
GaN: แกลเลียมไนไตรด์ (Gallium Nitride)
3.
HEMT: ทรานซิสเตอร์อิเล็กตรอนคล่องตัวสูง (High Electron Mobility Transistor)
4.
เคยูแบนด์: ไมโครเวฟที่ความถี่ระหว่าง 12 GHz -18 GHz

เลเซอร์ไดโอดสีแดงพลังงานสูง 639 nm สำหรับโปรเจคเตอร์

เลเซอร์ไดโอดสีแดงพลังงานสูง 639 nm ที่มีโครงสร้างเป็นอีพิแทกซีและมีขนาดอิมิตเตอร์ที่ได้รับการปรับปรุงแล้ว สามารถให้ เอาต์พุตคลื่น 2.1W ที่ต่อเนื่องในระดับชั้นนำของวงการอุตสาหกรรม1 และยังมีประสิทธิภาพในการแปลงพลังงานที่สูงถึง 41%2 ดังนั้น จึงช่วยส่งเสริมการทำการค้าสำหรับโปรเจคเตอร์ขนาดใหญ่ที่ต้องการความสว่างในระดับสูง

1.
เมื่อวันที่ 14 ธันวาคม 2559 ตามข้อมูลจากงานวิจัยภายใน
2.
ในกรณีที่มีระดับอุณหภูมิ 25° องศาเซลเซียส ให้เอาต์พุตคลื่นต่อเนื่องที่ 2.1W

ชุดอุปกรณ์ TFT-LCD พร้อมแผงสัมผัสสำหรับการใช้ในอุตสาหกรรม (VGA 6.5 นิ้ว, SVGA/XGA 8.4 นิ้ว, WXGA 10.6 นิ้ว)

แผงสัมผัสที่เก็บประจุไฟฟ้าได้ที่ยื่นออกมาเหล่านี้มีแผ่นกระจกที่หนา 5 มม. สามารถรองรับได้ถึง 10 อินพุตการสัมผัสพร้อมๆ กัน และสามารถใช้งานได้แม้แต่ในขณะที่สวมใส่ถุงมือหนากันความร้อน หรือเมื่อหน้าจอเปียก แผงสัมผัสเหล่านี้เหมาะสำหรับการใช้งานกลางแจ้งที่ต้องการคุณสมบัติการทนทานต่อแรงกระแทกและกันน้ำ

ชุดอุปกรณ์ TFT-LCD สีรุ่นทนทาน สำหรับการใช้งานอุตสาหกรรม (WVGA 7.0 นิ้ว/8.0 นิ้ว)

ชุดอุปกรณ์รุ่นทนทานเหล่านี้มีคุณสมบัติกันการสั่นสะเทือนได้มากกว่าชุดอุปกรณ์แบบปกติทั่วไป (6.8 G) ถึงประมาณเจ็ดเท่า มีช่วงอุณหภูมิการทำงานที่กว้าง (-40°C - 85°C) และมีมุมมองการรับชมที่กว้างเป็นพิเศษ (170° จากทุกมุม) เพื่อตอบรับกับแนวโน้มของการใช้งานในสภาพแวดล้อมที่สมบุกสมบัน เช่น ในเครื่องจักรที่ใช้ในการก่อสร้าง เครื่องจักรที่ใช้ในเกษตรกรรม และเครื่องมือจักรกล ซึ่งจำเป็นต้องใช้จอแสดงผลอเนกประสงค์ที่มีคุณภาพสูง